2019年4月12日学术报告——南京航空航天大学张之梁教授 |
发布人:王存宏 发布时间:2019-04-11 动态浏览次数:6251 |
报告题目:High Frequency Power Conversion with Wide Band Gap Devices(校庆77周年系列学术活动) 报告人:张之梁 教授 报告人单位:南京航空航天大学 时间:2019年4月12日(周五)14:00-15:00 地点:仙林校区自动化学院学科楼321 主办单位:自动化学院、人工智能学院
报告内容: 从上个世纪70年代中期发展至今,传统硅基半导体技术已达到其理论极限值。随着宽禁带(Wide Band Gap, WBG) 器件的迅速发展,业界推出新一代GaN/SiC器件。GaN/SiC材料在很多特性上远远超过硅,其功率器件优点包括:性能系数 (FOM) 远远小于硅器件,驱动损耗和开关损耗仅为硅器件的约十分之一;材料临界电场更高,在保证与硅器件拥有相同等级导通电阻时,增加器件耐压;Ga器件的宽禁带使其更适合应用在高频电路中等。报告将介绍GaN/SiC功率器件发展现状、各个公司商用的器件使用特点与挑战、结合应用的SiC/GaN高频电力电子电路与控制,展示第三代半导体器件给电力电子应用带来的优势与前景。
报告人简介: 张之梁 博士 教授 博士生导师,入选2017年国家优秀青年科学基金;南京航空航天大学“长空学者”,IEEE 高级会员。2002年、2005年分别获南京航空航天大学本科、硕士学位;2009年,获Queen's University at Kingston, ON, Canada博士学位。目前研究方向为高频宽禁带器件电力电子应用研究。发表IEEE Trans. on Power Electron.论文40余篇;发表IEEE APEC, ECCE等国际会议论文62篇;论文累计他引1200余次;担任IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics (JESTPEL) 副主编。获国家优秀青年科学基金、江苏省杰出青年基金、教育部霍英东青年基金;入选“江苏省333工程”、“江苏省六大人才高峰”;主持国家级项目4项、省部级项目9项、台达基金2项、光宝基金1项,获江苏省科学技术奖 二等奖 (排名第一)。主持企业研发类项目20余项,所提高频电路在航天五院的某型卫星电源系统中得到应用;与中国电子科工集团14所合作舰载高压雷达电源,13所军用无人机高压电源得到应用。与业界知名企业台达、光宝、比亚迪、上能电气、致远电子、金升阳、世纪金光半导体等紧密合作,成功转化多项高频电力电子技术。 |