报告题目：High Frequency Power Conversion with Wide Band Gap Devices（校庆77周年系列学术活动）

报告人：张之梁 教授

报告人单位：南京航空航天大学

时间：2019年4月12日（周五）14:00-15:00

地点：仙林校区自动化学院学科楼321

主办单位：自动化学院、人工智能学院

报告内容：

从上个世纪70年代中期发展至今，传统硅基半导体技术已达到其理论极限值。随着宽禁带(Wide Band Gap, WBG) 器件的迅速发展，业界推出新一代GaN/SiC器件。GaN/SiC材料在很多特性上远远超过硅，其功率器件优点包括：性能系数 (FOM) 远远小于硅器件，驱动损耗和开关损耗仅为硅器件的约十分之一；材料临界电场更高，在保证与硅器件拥有相同等级导通电阻时，增加器件耐压；Ga器件的宽禁带使其更适合应用在高频电路中等。报告将介绍GaN/SiC功率器件发展现状、各个公司商用的器件使用特点与挑战、结合应用的SiC/GaN高频电力电子电路与控制，展示第三代半导体器件给电力电子应用带来的优势与前景。

报告人简介：

张之梁 博士 教授 博士生导师，入选2017年国家优秀青年科学基金；南京航空航天大学“长空学者”，IEEE 高级会员。2002年、2005年分别获南京航空航天大学本科、硕士学位；2009年，获Queen's University at Kingston, ON, Canada博士学位。目前研究方向为高频宽禁带器件电力电子应用研究。发表IEEE Trans. on Power Electron.论文40余篇；发表IEEE APEC, ECCE等国际会议论文62篇；论文累计他引1200余次；担任IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics (JESTPEL) 副主编。获国家优秀青年科学基金、江苏省杰出青年基金、教育部霍英东青年基金；入选“江苏省333工程”、“江苏省六大人才高峰”；主持国家级项目4项、省部级项目9项、台达基金2项、光宝基金1项，获江苏省科学技术奖 二等奖 （排名第一）。主持企业研发类项目20余项，所提高频电路在航天五院的某型卫星电源系统中得到应用；与中国电子科工集团14所合作舰载高压雷达电源，13所军用无人机高压电源得到应用。与业界知名企业台达、光宝、比亚迪、上能电气、致远电子、金升阳、世纪金光半导体等紧密合作，成功转化多项高频电力电子技术。